Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
lateral impurity placement — šoninis priemaišų įterpimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral impurity placement vok. seitliche Dotierung, f rus. боковое введение примеси, n; горизонтальное введение примеси, n pranc. placement latéral du dopant, m … Radioelektronikos terminų žodynas
seitliche Dotierung — šoninis priemaišų įterpimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral impurity placement vok. seitliche Dotierung, f rus. боковое введение примеси, n; горизонтальное введение примеси, n pranc. placement latéral du dopant, m … Radioelektronikos terminų žodynas
šoninis priemaišų įterpimas — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral impurity placement vok. seitliche Dotierung, f rus. боковое введение примеси, n; горизонтальное введение примеси, n pranc. placement latéral du dopant, m … Radioelektronikos terminų žodynas
боковое введение примеси — šoninis priemaišų įterpimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral impurity placement vok. seitliche Dotierung, f rus. боковое введение примеси, n; горизонтальное введение примеси, n pranc. placement latéral du dopant, m … Radioelektronikos terminų žodynas
горизонтальное введение примеси — šoninis priemaišų įterpimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral impurity placement vok. seitliche Dotierung, f rus. боковое введение примеси, n; горизонтальное введение примеси, n pranc. placement latéral du dopant, m … Radioelektronikos terminų žodynas
MOSFET — Two power MOSFETs in the surface mount package D2PAK. Operating as switches, each of these components can sustain a blocking voltage of 120 volts in the OFF state, and can conduct a continuous current of 30 amperes in the ON state, dissipating up … Wikipedia
Thermal oxidation — In microfabrication, thermal oxidation is a way to produce a thin layer of oxide (usually silicon dioxide) on the surface of a wafer (semiconductor). The technique forces an oxidizing agent to diffuse into the wafer at high temperature and react… … Wikipedia
